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ICT测试之電晶體/光耦合晶體測試原理及步驟
浏览次数:      日期:2018-06-01 14:14:07

   ICT電晶體測試原理及步驟 (Debug TR)

 

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  測試步驟 :

 

  1. 按下Alt_S, 程式自動判斷出元件為PNP或NPN屬性, P+輸入C的腳位, P-輸入E的腳位. Guard畫面中的G1輸入B的腳位.

  2. 如果B極輸入電壓不足, 將無法測得順向電壓的測量值, 此時可將S往上調一檔, 直到測得導通電壓約200mV. 一般建議S檔值在5.6以上.

  3. 若是仍然測試不到, 可能是由於整體網絡電路關係. 此時將可BE視為D元件, 在Tm欄位輸入D, P+接B端測量順向電壓約700mV, 調整S欄位直到Mea_Val趨近並大於700mV的設定值.

 

  注意事項 :

 

  ICT光耦合晶體及RELAY測試原理及步驟 (Debug PHO & RLY)

 

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  PHO測試步驟 :

 

  1. 模式欄Tm設為PHO(Photo Transistor), 將Fg欄位輸入Photo Transistor特性(NE, PE, NC, PC). 發光二極體的正端針腳, 設定於Alt_G呼叫出的Guard畫面中的G1, 負端針腳設定在G2. 電晶體C端針腳設定為P+, E端針腳設定為P-. 測得電壓200mV~1V. 按F8會轉換P+ /P-, 逆向偏壓遠大於順向偏壓.

 

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  RELAY測試步驟 :

 

  1. 模式欄Tm設為RLY, 加於電感端的CI由於有些電感是有輸入極性的差別, 此時要注意G1, G2的針腳位置, 測得近似短路的電壓. 按F8將不會有電壓變動.

  注意事項 :

 

  n Coil工作電流大於20mA時即無法測.

 

 

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